Samsung, SK hynix и TSMC столкнулись с масштабными кражами технологий

В мировой полупроводниковой индустрии участились случаи утечек технологических данных, затрагивающих производство микросхем и модулей памяти.

Как сообщает Vesti.az со ссылкой на TrendForce, с подобными инцидентами в последние месяцы столкнулись компании Samsung, SK hynix и TSMC.

Так, 1 октября в Южной Корее были задержаны бывший топ-менеджер и трое сотрудников Samsung, подозреваемые в передаче Китаю технологии производства памяти DRAM 18 нм. Похищенные материалы касались технологического процесса 10 нм, на разработку которого компания потратила около $1,13 млрд. По оценке экспертов, ущерб Samsung может достигать десятков триллионов вон.

В компании SK hynix выявлен аналогичный случай. Сотрудник, ранее работавший в китайском подразделении, перешёл в HiSilicon (дочернюю структуру Huawei) и похитил почти 6000 страниц внутренней документации, включая данные о технологиях, применяемых при производстве микросхем для систем искусственного интеллекта.

27 августа прокуратура Тайваня предъявила обвинения трём инженерам TSMC в краже секретных данных о производстве 2-нм чипов. Один из фигурантов позже устроился в японскую компанию Tokyo Electron, связанную с проектом Rapidus. После инцидента японская сторона принесла официальные извинения и предложила компенсацию, включая ускоренные поставки оборудования.

Эксперты отмечают, что серия подобных утечек сигнализирует о росте технологической напряженности в Азии и о переходе конкуренции между производителями чипов в фазу скрытого противостояния.