Intel представила передовую Z память

Intel представила прототип новой памяти Z-Angle Memory (ZAM), разработанной совместно с компанией Saimemory. Технология позиционируется как потенциальная альтернатива HBM в сегменте высокопроизводительных вычислений, сообщает WCCFTech, передает Day.Az со ссылкой на Gazeta.ru.

Презентация состоялась на мероприятии Intel Connection Japan 2026. Ранее ZAM упоминалась преимущественно в научных публикациях и корпоративных материалах, однако теперь компания раскрыла первые технические детали.

Ключевое отличие Z-Angle Memory заключается в использовании ступенчатой межсоединительной топологии: контакты в стеках кристаллов прокладываются по диагонали, а не вертикально, как в традиционной HBM-архитектуре. По заявлению разработчиков, такая схема обеспечивает более эффективный теплоотвод, что критически важно для плотных модулей памяти, применяемых в ИИ-ускорителях и HPC-системах.

Среди заявленных преимуществ ZAM называют снижение энергопотребления на 40-50%, упрощение производственного процесса за счет новой структуры интерконнектов и увеличение емкости одного чипа до 512 ГБ.

Степень вовлеченности Intel в операционную реализацию проекта пока не раскрывается полностью. В презентационных материалах компания указывает на роль стратегического инвестора и участника ключевых решений.

Эксперты отмечают, что, несмотря на амбициозные характеристики, говорить о скором пересмотре цен на высокопроизводительную память или структурных изменениях в сегменте HBM преждевременно: технология находится на ранней стадии развития и требует масштабирования производства.